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首页 资讯 IC设计 CHIPX首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆下线，110GHz带宽高机能薄膜铌酸锂调制器芯片实现量产

入选国度工信部 首批重点培育中试平台 名单不到1个月，上海交年夜无锡光子芯片研究院(CHIPX)再次迎来重磅时刻：6月5日，首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆于海内首个光子芯片中试线下线，同时实现了超低损耗、超高带宽的高机能薄膜铌酸锂调制器芯片的范围化量PA视讯平台·游戏官网 - PlayAce-产，要害技能指标到达国际进步前辈程度。

这一冲破性结果标记着我国于高端光电子焦点器件范畴完成从 技能跟跑 到 财产领跑 的汗青性超过。研究院将依托中试平台，联袂财产链互助伙伴推进范围化量产进程，构建 技能研发-工艺验证-范围量产 全链条能力，进一步加强自立可控的量子科技国际竞争力。

上海交年夜无锡光子芯片研究院在2022年12月启动海内首条光子芯片中试线设置装备摆设，2024年9月，集光子芯片研发、设计、加工及运用在一体的光子芯片中试线正式启用。如今，首片晶圆乐成下线，中试平台实现量产通线，彰显了项目设置装备摆设的高效与结果。

作为一种高机能光电质料，薄膜铌酸锂具有超快电光效应、高带宽、低功耗等上风，于5G通讯、量子计较等范畴揭示出巨年夜潜力。然而，因为薄膜铌酸锂质料脆性年夜，年夜尺寸薄膜铌酸锂晶圆的制备一直被行业视为挑战，特别于量产化工艺中面对纳米级加工精度节制、薄膜沉积匀称性包管、刻蚀速度一致性调控等三浩劫题。

CHIPX工艺团队基在自立设置装备摆设的海内首条光子芯片中试线，引进了110余台国际顶级CMOS工艺装备，笼罩了薄膜铌酸锂晶圆从光刻、薄膜沉积、刻蚀、湿法、切割、量测到封装的全闭环工艺。经由过程立异性开发芯片设计、工艺方案与装备体系的协同适配技能，乐成买通了从光刻图形化、周详刻蚀、薄膜沉积到封装测试的全制程工艺，实现晶圆级光子芯片集成工艺冲破。

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