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碳化硅作为第三代半导体质料的焦点代表，正以其耐高压、高频、高效等特征重塑全世界功率半导体财产成长格式，吸引列国争相投入研发。中国碳化硅技能研发进展顺遂，近期，两项碳化硅技能迎来新冲破。

连科半导体 八吋硅区熔炉和碳化硅电阻炉结果鉴定到达国际领先程度

连城数控 官微动静，近期，中国有色金属工业协会于无锡构造召开科技结果评价会。由中科院技物所褚君浩院士，有研科技集团周旗钢传授以和来自东南年夜学，南京航空航天年夜学，浙年夜科创中央等的五位专家构成的专家组，对于由连科半导体有限公司等单元完成的两项科技结果举行了评价。

专家组一致认为， 8 吋 / 12 吋碳化硅电阻炉和工艺成套技能 项目，结合了浙江年夜学等单元，于行业初次推出直流双电源加热器、双温区热场布局，加热功率降落35%，降低到28Kw；开发了高精度节制软件，实现了对于气体流量、压力的切确节制，满意了8吋/12吋SiC单晶的不变生长，技能难度年夜、繁杂水平高。于多家碳化硅衬底企业推广运用后，经济、社会效益显著，助力客户生长8吋/12吋碳化硅晶体，厚度到达5cm以上。项目总体技能到达国际领先程度。

source：连城数控

200妹妹 区熔硅单晶炉成套技能 项目，独创了下主轴与密封内衬别离由伺服机电驱动并同步耦合节制的技能，和第二相机丈量融化流量的节制新思绪，霸占了主轴高周详加工及装置问题。形成为了要害技能-样机树模-财产化运用的全链条技能系统。技能难度年夜、繁杂水平高。项目技能已经于有研半导体硅质料股分公司乐成投产并不变运行，技能重现性好、成熟度高。项目总体技能到达国际领先程度

增材制造繁杂布局高机能碳化硅基复合质料和其部件 荣获2025年日内瓦国际发现展金奖

武汉理工年夜学质料学院 官微动静，近期，第50届日内瓦国际发现展（The 50thInternational Exhibition of Inventions of Geneva）于瑞士日内瓦进行，武汉理工年夜学质料科学与工程学院副院长刘凯传授携项目 增材制造繁杂布局高机能碳化硅陶瓷基复合质料和其部件 参展并荣获金奖。

source：武汉理工年夜学质料学院

据悉， 上述项目面向极度服役情况对于高机能碳化硅陶瓷质料繁杂构件的制造需求，开展了质料-布局-机能一体化增材制造研究。成立了高增材顺应性碳化硅复合粉末设计制备与激光增材制造工艺要领，研制了纤维加强碳化硅复合质料繁杂构件的增材制造技能与设备，鞭策了增材制造碳化硅陶瓷构件于航空航天、能源化工、半导体设备等范畴的工程运用。

项目相干结果已经得到多项国度发现专利授权，并于Journal of the European Ceramic Society、Journal of the American Ceramic Society、Composite Structures等期刊上发表系列论文。

结语

于 双碳 方针与智能制造进级的两重需求下，碳化硅正深度赋能新能源汽车、光伏储能、5G通讯等范畴，鞭策能源效率革命。上述碳化硅技能冲破注解我国于半导体质料自立可控方面不停努力并取患了新成绩，跟着技能迭代与财产链协同成长，将来中国以碳化硅为代表的第三代半导体有望迈上新台阶。

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