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近日， #英诺赛科 于慕尼黑上海电子展（Electronica China）及武汉九峰山论坛暨化合物半导体财产展览会（CSE）上展出的氮化镓产物和解决方案，激发行业高度存眷。

此中于数据中央范畴，英诺赛科重点展示了双面散热 En-FCLGA 封装 100V GaN、全世界首款100V 双向器件（VGaN）、年夜功率合封氮化镓 ISG6121TD、2kW四订交错Buck、4.2kW办事器电源方案以和于数据中央及人形呆板人运用中的多款解决方案。

source：英诺赛科

英诺赛科公然先容道， 此中一款100V GaN产物，全世界首款量产，进步前辈的双面散热 En-FCLGA 封装，与传统的封装比拟，导热率超出跨越 65%。

INV100FQ030C是英诺赛科全世界首款100V 双向器件（VGaN），撑持双向导通及双向关断，采用FCQFN4x6封装，具有超低导通电阻及更宽的SOA界限，可于48V BMS体系、48V总线负载开关中实现电池掩护。

年夜功率合封氮化PA视讯平台·游戏官网 - PlayAce-镓 ISG6121TD是一款行业首发的年夜功率合封氮化镓产物，集成为了栅极驱动及短路掩护的GaN功率IC，采用TO-247-4L封装，可以或许帮忙设计职员开发具备 Titanium Plus 效率的高频开关方案，可运用在数据中央/AI办事器PSU，车载OBC及DC-DC转换器，实现功率密度比传统方案高2~3倍。

2kW四订交错Buck是2025年全新发布的方案，该方案采用四订交错Buck拓扑，每一相利用1颗INS2002FQ及4颗INN100EA035A实现功率传输，具有矫捷的拓展性，效率超98%。

4.2kW办事器电源方案是英诺赛科与客户互助开发，与传统电源比拟，其轻中载电能损耗可削减至少30%，实现跨越96%的转换效率。

此外，本月早些英诺赛科发布通知布告公布其自立开发的1200V氮化镓(GaN)产物已经实现量产，这款1200V氮化镓（GaN）产物于新能源汽车800V平台，可晋升车载充电效率并缩小体积，扩展续航里程并降低成本。

作为氮化镓技能范畴的立异前锋，英诺赛科致力在硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。这次多款冲破性产物的集中表态，不仅印证了氮化镓质料于高频、高效场景中的焦点价值，更彰显了英诺赛科经由过程技能深耕鞭策财产进级的战略定力。

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