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本地时间5月21日，纳微半导体公布与英伟达告竣战略互助，配合开发基在氮化镓（GaN）及碳化硅（SiC）技能的800V高压直流（HVDC）电源架构，该技能将率先运用在英伟达下一代AI数据中央和Rubin Ultra计较平台。

当前数据中央遍及采用54V低压配电体系，功率限定于几百千瓦（kW），依靠粗笨的铜母线传输电力。跟着AI算力需求激增，单个机架功率冲破200kW时，传统架构面对效率降落、铜材耗损剧增等物理极限问题。800V架构经由过程削减铜材利用量45%、降低电传播输损耗，可支撑吉瓦级AI计较负载。

按照纳微半导体官方披露，其GaNFast氮化镓功率芯片与GeneSiC碳化硅技能将于互助中阐扬焦点作用。其GaNFast 功率芯片集成驱动、节制与掩护功效，撑持高达800V的瞬态电压，并经由过程GaNSense 技能实现超高功率密度（92.36W/cm ）及97.9%的半载效率，显著优化了数据中央的能源使用率。

英伟达计划显示，该架构将直接办事在其 Kyber 机架级电力体系，配套维谛技能规划在2026年推出的800VDC电源产物组合，包括集中式整流器、高效直流母线槽和机架级DC-DC转换器。

800V高压技能的运用不仅限在数据中央。新能源汽车范畴已经率先结构800V平台，以解决充电速率与续航焦急。例如，保时捷、小鹏、比亚迪等车企已经推出相干车型，动员碳化硅器件需求激增。英伟达与纳微半导体的互助，将AI计较需求与功率半导体立异深度绑定。从数据中央到电动汽车，800V高压架构正成为晋升能效、冲破功率密度的焦点路径。

跟着技能成熟与财产链协同，这一架构或者将从头界说全世界半导体和新能源财产格式。此前5月5日，纳微半导体宣布了截至2025年3月31日的未经审计的2025年第一季度财政事迹。数据显示，纳微半导体2025年第一季度总收入为1,400万美元，较2024年同期的2,320万美元及2024年第四序度的1,800万美元有所降落。

纳微半导体暗示估计2025年第二季度净营收为1,400万美元至1,500万美元。非GAAP毛利率估计为38.5%，上下浮动0.5%，非GAAP运营用度估计约为1,550万美元。

稍早一些3月，纳微半导体发布了全世界首款量产级650V双向GaNFast氮化镓功率芯片和高速断绝型栅极驱动器。4月，纳微半导体公布与兆易立异科技集团株式会社正式告竣战略互助伙伴瓜葛。

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