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近日，株洲中车董事长李东林于 进步前辈轨道交通行业专场 申明会上吐露了公司于碳化硅（SiC）财产的最新进展。

株洲中车正加速8英寸碳化硅产线设置装备摆设，此中三期8英寸SiC晶圆项目已经在2024年11月启动，规划2025年5月完成主体厂房封顶，年末前实现整线领悟。公司现有的6英寸SiC芯片出产线年产2.5万片，已经具有成熟产能。

于MOSFET技能上，株洲中车已经完成第三代邃密平面栅SiC MOSFET的定型开发，技能程度已经到达行业主流。第四代沟槽栅产物已经完成设计定型，并到达行业进步前辈程度，机能指标基本对于标国际龙头企业。此外，公司已经前瞻性结构第五代技能研发，并吐露于超邃密沟槽栅7.5代技能方面已经到达国际领先程度，揭示出强盛的连续立异能力。

公司重点产物涵盖650V至6500V电压等级的SiC MOSFET，以和1200V SBD（肖特基二极管）。此中，1200V SBD已经于光伏范畴实现批量出货。

于封装层面，SiC TO封装器件已经于充电桩、车载充机电（OBC）、电源治理等范畴实现范围供货。面向新能源汽车主驱节制器，公司在2022年末正式发布了其C-Power 220s平台，这是海内首款基在自立碳化硅研制的年夜功率电驱产物，体系效率最高可达94%，今朝已经进入整车厂验证阶段，估计2025年有望实现主驱批量出货。

株洲中车正于构建从衬底、芯片到运用平台的完备SiC财产生态，加快向高压、高能效电力电子市场渗入。跟着产线进级、技能迭代及产物矩阵的完美，株洲中车有望于碳化硅范畴实现更年夜冲破，鞭策相干财产的进级与成长。

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